シリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。 VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速く、その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープであることなど、 従来のサージアブソーバの抱えていた問題点を解決した、高性能高信頼性デバイスです。
・通信回線、通信装置の誘導雷サージ保護
・静電気対策
・EMP対策
・リレー、ソレノイド等、開閉サージの保護
・火災検知器等のサージ保護
・その他、異常電圧発生時の電子回路保護
| 項目 | 記号 | 定格 | 単位 | 条件 |
|---|---|---|---|---|
| 定格電力 | P | 1.0 | W | ガラスエポキシ基板実装 |
| 過渡許容電力 | Pp | 300 | W | 10/1000µs波形 |
| 1200 | W | 1.2/50µs波形 | ||
| 2000 | W | 8/20µs波形 | ||
| 接合温度 | Tj | -40～150 | ℃ | |
| 保存温度範囲 | Tstg | -40～150 | ℃ | |
| 定格電圧 | Vs | 電気的特性に記載 | ||
【 VRDとは 】
電気機器の誤作動や機器停止の原因となるサージ。それらを防ぐためにサージアブソーバは必要不可欠です。
SEMITECのシリコンサージアブソーバVRDは、立ち上がりの急峻なサージ電圧を吸収する為に開発されたサージアブソーバです。VRDは、シリコン接合のアバランシェ効果によりサージに対し応答性が非常に速く、その制御電圧は、ほとんど電流に依存することなくシャープである高性能高信頼性デバイスです。
VRDはシリコンのＰ－Ｎ接合半導体のアバランシェ効果を利用したサージアブソーバであり、大きな特徴は、他のアブソーバ※に比べて応答速度が非常に速いことです。
その為、通信回線、通信装置の誘導雷サージ保護や静電気対策、EMP対策、リレー、ソレノイド等、開閉サージの保護などの対策に適しています。
電気機器に接続された電源線や通信及び信号線にサージアブソーバを設置し、サージ電圧を抑制することで電気機器を保護することができます。
※ガスチューブアレスタや金属酸化物系バリスタ（当社品名ゼナミック）など
【使用回路例】
代表的な使用回路である、誘導性負荷の開閉サージ抑制、3端子レギュレータ、通信ラインのサージ保護回路の回路例を以下に示します
